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Infineon Technologies

IRFSL7437PBF

工場モデル IRFSL7437PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 195A TO262
パッケージ TO-262
株式 111607 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.863 $0.773 $0.622 $0.511 $0.423 $0.394 $0.379 $0.37
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。111607のInfineon Technologies IRFSL7437PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.9V @ 150µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
シリーズ HEXFET®, StrongIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.8mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 230W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7330 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 225 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 195A (Tc)
基本製品番号 IRFSL7437

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データシート

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