IRFSL7440PBF
工場モデル | IRFSL7440PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N CH 40V 120A TO-262 |
パッケージ | TO-262 |
株式 | 145466 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemCopper Plating Update 31/Aug/2015Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
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$0.623 | $0.561 | $0.451 | $0.37 | $0.307 | $0.286 | $0.275 | $0.265 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.9V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 208W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4730 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 135 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
基本製品番号 | IRFSL7440 |
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