Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFL014NTRPBF
IRFL014NTRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFL014NTRPBF

工場モデル IRFL014NTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
パッケージ SOT-223
株式 215074 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.388 $0.343 $0.263 $0.208 $0.166
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。215074のInfineon Technologies IRFL014NTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 160mOhm @ 1.9A, 10V
電力消費(最大) 1W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 190 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 11 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.9A (Ta)
基本製品番号 IRFL014

おすすめ商品

IRFL014NTRPBF データテーブルPDF

データシート