IRFIZ34E
工場モデル | IRFIZ34E |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 21A TO220AB FP |
パッケージ | PG-TO220-FP |
株式 | 6606 pcs |
データシート | IRFIZ34EIR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6606のInfineon Technologies IRFIZ34Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-FP |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 42mOhm @ 11A, 10V |
電力消費(最大) | 37W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 700 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Tc) |
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