IRFIRL60B216
工場モデル | IRFIRL60B216 |
---|---|
メーカー | International Rectifier |
詳細な説明 | HEXFET POWER MOSFET |
パッケージ | PG-TO220-3-904 |
株式 | 4956 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-904 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 375W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 15570 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 258 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 195A (Tc) |
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