IRFH5010TRPBF
| 工場モデル | IRFH5010TRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN |
| パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| 株式 | 6559 pcs |
| データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016PQFN 5x6 RoHS CompliancePackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev EOL 9/Nov/2022Product Assembly Notification 10/Feb/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4340 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta), 100A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFH5010 |
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