Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFB52N15DPBF
IRFB52N15DPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFB52N15DPBF

工場モデル IRFB52N15DPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 59467 pcs
データシート Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemMult Dev Lead Finish 28/May/2021Mult Dev Wafer Chgs 31/Aug/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.418 $1.275 $1.044 $0.889 $0.75 $0.712 $0.686
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。59467のInfineon Technologies IRFB52N15DPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 32mOhm @ 36A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 230W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2770 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 89 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 51A (Tc)
基本製品番号 IRFB52

おすすめ商品

IRFB52N15DPBF データテーブルPDF

データシート

IRFB52N15DPBFに関連した語彙

IRFB52N15DPBF関連コンポーネント