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IRFB7430GPBF

工場モデル IRFB7430GPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 3841 pcs
データシート Mult Dev EOL 16/May/2016IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3841のInfineon Technologies IRFB7430GPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.9V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.3mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） -
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 14240 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 460 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 195A (Tc)

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