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IRFB4227PBF

工場モデル IRFB4227PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 64203 pcs
データシート IRFB4227PbFMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Tube Qty Pk Standard 05/Apr/2017Barcode Label Update 24/Feb/2017IR Part Numbering SystemMult Dev Lead Finish 28/May/2021Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.407 $1.265 $1.036 $0.882 $0.744 $0.707 $0.68
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。64203のInfineon Technologies IRFB4227PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 24mOhm @ 46A, 10V
電力消費（最大） 330W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4600 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 98 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 65A (Tc)
基本製品番号 IRFB4227

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データシート

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