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IRFB4020PBF

工場モデル IRFB4020PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 102015 pcs
データシート Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016IR Part Numbering SystemTube Label Chgs 20/May/2020Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.753 $0.675 $0.543 $0.446 $0.369 $0.344 $0.331 $0.323
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。102015のInfineon Technologies IRFB4020PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.9V @ 100µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 100mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大） 100W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1200 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 29 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18A (Tc)
基本製品番号 IRFB4020

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データシート

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