Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF3717PBF
IRF3717PBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF3717PBF

工場モデル IRF3717PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 6191 pcs
データシート IRF3717PbFMult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6191のInfineon Technologies IRF3717PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.45V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.4mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2890 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 33 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Ta)

おすすめ商品

IRF3717PBF データテーブルPDF

データシート

IRF3717PBFに関連した語彙

IRF3717PBF関連コンポーネント