Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF3711ZSPBF
IRF3711ZSPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF3711ZSPBF

工場モデル IRF3711ZSPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 5163 pcs
データシート IRF3711Z(S,L)PbFIR Part Numbering SystemIRF3711ZSPB,IRFH7921TR2PBF 03/Apr/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5163のInfineon Technologies IRF3711ZSPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.45V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 79W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2150 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 24 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 92A (Tc)

おすすめ商品

IRF3711ZSPBF データテーブルPDF

データシート

IRF3711ZSPBFに関連した語彙

IRF3711ZSPBF関連コンポーネント