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IRF40R207

工場モデル IRF40R207
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 56A TO252
パッケージ PG-TO252-3
株式 252017 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015IRyyy Dev Wafer Fab Chg 6/Jun/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.371 $0.328 $0.251 $0.199 $0.159
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。252017のInfineon Technologies IRF40R207の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.9V @ 50µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ HEXFET®, StrongIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.1mOhm @ 55A, 10V
電力消費（最大） 83W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2110 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 68 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 56A (Tc)
基本製品番号 IRF40R207

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データシート

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