IPW65R041CFDFKSA1
| 工場モデル | IPW65R041CFDFKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 |
| パッケージ | PG-TO247-3-1 |
| 株式 | 8135 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev EOL 20/Feb/2022Mult Dev Wafer Site Add 20/Sep/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 240 |
|---|
| $4.829 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 3.3mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3-1 |
| シリーズ | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 41mOhm @ 33.1A, 10V |
| 電力消費（最大） | 500W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8400 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 68.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPW65R041 |
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