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Infineon Technologies

IPW60R190E6FKSA1

工場モデル IPW60R190E6FKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
パッケージ PG-TO247-3-1
株式 41691 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev A/T Chgs 3/Nov/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$1.718 $1.541 $1.263 $1.075 $0.907 $0.861
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。41691のInfineon Technologies IPW60R190E6FKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 630µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-1
シリーズ CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 190mOhm @ 9.5A, 10V
電力消費（最大） 151W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1400 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 63 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20.2A (Tc)
基本製品番号 IPW60R190

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