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Infineon Technologies

IPW60R299CPFKSA1

工場モデル IPW60R299CPFKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
パッケージ PG-TO247-3-1
株式 4604 pcs
データシート Part Number GuideMult Devices EOL 31/Aug/2017
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4604のInfineon Technologies IPW60R299CPFKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 440µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-1
シリーズ CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 299mOhm @ 6.6A, 10V
電力消費(最大) 96W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1100 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 29 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Tc)
基本製品番号 IPW60R

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データシート