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Infineon Technologies

IPT030N12N3GATMA1

工場モデル IPT030N12N3GATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 TRENCH >=100V
パッケージ PG-HSOF-8-1
株式 41919 pcs
データシート Mult Dev A/T Chgs 11/Jan/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$1.942 $1.744 $1.429 $1.216 $1.026
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。41919のInfineon Technologies IPT030N12N3GATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 270µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 375W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 13000 pF @ 60 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 198 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 120 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 24A (Ta), 237A (Tc)
基本製品番号 IPT030N

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