Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies

IPT026N10N5ATMA1

工場モデル IPT026N10N5ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
パッケージ PG-HSOF-8-1
株式 36071 pcs
データシート Mult Dev A/T Chgs 11/Jan/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$1.911 $1.717 $1.407 $1.198 $1.01
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。36071のInfineon Technologies IPT026N10N5ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.8V @ 158µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
シリーズ OptiMOS™5
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.6mOhm @ 150A, 10V
電力消費（最大） 214W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8800 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 120 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 27A (Ta), 202A (Tc)
基本製品番号 IPT026

おすすめ商品

IPT026N10N5ATMA1 データテーブルPDF

データシート

IPT026N10N5ATMA1に関連した語彙

IPT026N10N5ATMA1関連コンポーネント