IPT017N12NM6ATMA1
| 工場モデル | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V |
| パッケージ | PG-HSOF-8 |
| 株式 | 30288 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $2.385 | $2.155 | $1.784 | $1.554 | $1.353 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 275µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8 |
| シリーズ | OptiMOS™ 6 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.7mOhm @ 150A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 395W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11000 pF @ 60 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 120 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 29A (Ta), 331A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPT017 |
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