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IPD65R250E6XTMA1

工場モデル IPD65R250E6XTMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3
株式 5879 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 11/Feb/2019
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5879のInfineon Technologies IPD65R250E6XTMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 400µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ CoolMOS™ E6
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 250mOhm @ 4.4A, 10V
電力消費（最大） 208W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 950 pF @ 1000 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 45 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 16.1A (Tc)
基本製品番号 IPD65R

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