IPD65R250E6
工場モデル | IPD65R250E6 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | PG-TO252 |
株式 | 4241 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 400µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252 |
シリーズ | CoolMOS E6™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 250mOhm @ 4.4A, 10V |
電力消費(最大) | 208W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 950 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16.1A (Tc) |
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