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IPD60R800CEATMA1 Image
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IPD60R800CEATMA1

工場モデル IPD60R800CEATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3
株式 5836 pcs
データシート IPD60R800CE, IPA60R800CEPart Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Mult Devices EOL 31/Aug/2017Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5836のInfineon Technologies IPD60R800CEATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 170µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ CoolMOS™ CE
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 800mOhm @ 2A, 10V
電力消費（最大） 48W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 373 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 17.2 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.6A (Tc)
基本製品番号 IPD60R

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