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Infineon Technologies

IPAW70R950CEXKSA1

工場モデル IPAW70R950CEXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
パッケージ PG-TO220-3-FP
株式 6180 pcs
データシート Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020Mult Dev EOL 8/Feb/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6180のInfineon Technologies IPAW70R950CEXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 150µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-FP
シリーズ CoolMOS™ CE
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 950mOhm @ 1.5A, 10V
電力消費(最大) 68W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 328 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15.3 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 700 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.4A (Tc)
基本製品番号 IPAW70

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IPAW70R950CEXKSA1 データテーブルPDF

データシート