IPAW60R360P7SE8228XKSA1
工場モデル | IPAW60R360P7SE8228XKSA1 |
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メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 |
パッケージ | PG-TO220-FP |
株式 | 129280 pcs |
データシート | Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
450 |
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$0.326 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 140µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-FP |
シリーズ | CoolMOS™ P7 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
電力消費(最大) | 22W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 555 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) |
基本製品番号 | IPAW60 |
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