IPAW60R180P7SXKSA1
| 工場モデル | IPAW60R180P7SXKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 |
| パッケージ | PG-TO220 Full Pack |
| 株式 | 142776 pcs |
| データシート | Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.757 | $0.679 | $0.546 | $0.449 | $0.372 | $0.346 | $0.333 | $0.325 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 280µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 26W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPAW60 |
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