IPAN70R900P7SXKSA1
| 工場モデル | IPAN70R900P7SXKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 700V 6A TO220 |
| パッケージ | PG-TO220-FP |
| 株式 | 276639 pcs |
| データシート | Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.389 | $0.348 | $0.271 | $0.224 | $0.177 | $0.165 | $0.157 | $0.151 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 60µA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-FP |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 1.1A, 10V |
| 電力消費（最大） | 17.9W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 211 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 700 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPAN70 |
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