Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPAN70R600P7SXKSA1

工場モデル IPAN70R600P7SXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
パッケージ PG-TO220-FP
株式 233717 pcs
データシート Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.467 $0.417 $0.325 $0.269 $0.212 $0.198 $0.188 $0.181
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。233717のInfineon Technologies IPAN70R600P7SXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 90µA
Vgs(最大) ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP
シリーズ CoolMOS™ P7
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 600mOhm @ 1.8A, 10V
電力消費(最大) 24.9W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 364 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 10.5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 700 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.5A (Tc)
基本製品番号 IPAN70

おすすめ商品

IPAN70R600P7SXKSA1 データテーブルPDF

データシート