IPAN60R360P7SXKSA1
| 工場モデル | IPAN60R360P7SXKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 |
| パッケージ | PG-TO220 Full Pack |
| 株式 | 165288 pcs |
| データシート | Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.558 | $0.499 | $0.389 | $0.322 | $0.258 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 140µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 22W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 555 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPAN60 |
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