IMT65R260M1HXUMA1
| 工場モデル | IMT65R260M1HXUMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SILICON CARBIDE MOSFET |
| パッケージ | PG-HSOF-8-1 |
| 株式 | 23886 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $2.704 | $2.429 | $1.99 | $1.694 | $1.429 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。23886のInfineon Technologies IMT65R260M1HXUMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| Vgs（最大） | - |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-1 |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | - |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| FETタイプ | - |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
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