IMT65R057M1HXUMA1
工場モデル | IMT65R057M1HXUMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | SILICON CARBIDE MOSFET |
パッケージ | PG-HSOF-8-1 |
株式 | 11544 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$4.57 | $4.198 | $3.546 | $3.154 | $2.893 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | - |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-1 |
シリーズ | CoolSiC™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | - |
装着タイプ | Surface Mount |
FETタイプ | - |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
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