IMT65R039M1HXTMA1
| 工場モデル | IMT65R039M1HXTMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8 |
| パッケージ | |
| 株式 | 6481 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6481のInfineon Technologies IMT65R039M1HXTMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| Vgs（最大） | - |
| 技術 | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | - |
| パッケージ/ケース | - |
| 運転温度 | - |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FETタイプ | - |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
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