IMBG65R107M1HXTMA1
| 工場モデル | IMBG65R107M1HXTMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| パッケージ | PG-TO263-7-12 |
| 株式 | 19327 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $3.634 | $3.283 | $2.718 | $2.367 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.7V @ 2.6mA |
| Vgs（最大） | +23V, -5V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| シリーズ | CoolSIC™ M1 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 141mOhm @ 8.9A, 18V |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 496 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) |
| 基本製品番号 | IMBG65R |
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