IMBF170R450M1XTMA1
工場モデル | IMBF170R450M1XTMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 |
パッケージ | PG-TO263-7-13 |
株式 | 18065 pcs |
データシート | Mult Dev DC Chg 5/May/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$3.376 | $3.049 | $2.524 | $2.198 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.7V @ 2.5mA |
Vgs(最大) | +20V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-13 |
シリーズ | CoolSiC™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 450mOhm @ 2A, 15V |
電力消費(最大) | 107W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 610 pF @ 1000 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11 nC @ 12 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 12V, 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1700 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.8A (Tc) |
基本製品番号 | IMBF170 |
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