IMBG120R060M1HXTMA1
| 工場モデル | IMBG120R060M1HXTMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263 |
| パッケージ | PG-TO263-7-12 |
| 株式 | 8415 pcs |
| データシート | Orderable Part Number OPN Translation TableMult Dev DC Chg 5/May/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $5.862 | $5.387 | $4.55 | $4.047 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。8415のInfineon Technologies IMBG120R060M1HXTMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.7V @ 5.6mA |
| Vgs（最大） | +18V, -15V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| シリーズ | CoolSiC™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 83mOhm @ 13A, 18V |
| 電力消費（最大） | 181W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1145 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) |
| 基本製品番号 | IMBG120 |
おすすめ商品
-
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7Infineon Technologies -
IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263Infineon Technologies -
IMBG65R072M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-Infineon Technologies -
IMBG65R039M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-Infineon Technologies -
IMBD4448-HE3-08
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263Infineon Technologies -
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7Infineon Technologies -
IMBD4448-HE3-18
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
IMBD4448-G3-18
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
IMBG120R140M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263Infineon Technologies -
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263Infineon Technologies -
IMBD4448-E3-18
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
IMBG65R057M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-Infineon Technologies -
IMBG65R048M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-Infineon Technologies -
IMBD4448-G3-08
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7Infineon Technologies -
IMBG65R022M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-Infineon Technologies -
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263Infineon Technologies -
IMBG120R220M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263Infineon Technologies -
IMBG65R030M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-Infineon Technologies