IGLD60R190D1AUMA3
| 工場モデル | IGLD60R190D1AUMA3 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | GAN HV |
| パッケージ | PG-LSON-8-1 |
| 株式 | 14204 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $5.236 | $4.813 | $4.065 | $3.616 | $3.317 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 960µA |
| Vgs（最大） | -10V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-LSON-8-1 |
| シリーズ | CoolGaN™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | 62.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-LDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 157 pF @ 400 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
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