IGLD60R070D1AUMA3
| 工場モデル | IGLD60R070D1AUMA3 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | GANFET N-CH |
| パッケージ | PG-LSON-8-1 |
| 株式 | 5899 pcs |
| データシート | Mult Dev DS Rev 9/Nov/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $8.523 | $7.861 | $6.713 | $6.094 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 2.6mA |
| Vgs（最大） | -10V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-LSON-8-1 |
| シリーズ | CoolGaN™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | 114W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-LDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380 pF @ 400 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Tc) |
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