IDW20G65C5XKSA1
工場モデル | IDW20G65C5XKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 |
パッケージ | PG-TO247-3-41 |
株式 | 15196 pcs |
データシート | Part Number Guide |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$3.593 | $3.247 | $2.688 | $2.341 | $2.199 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 20 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3-41 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | CoolSiC™+ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 210 µA @ 650 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 20A |
Vrと、F @キャパシタンス | 590pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | IDW20G65 |
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