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IDW10G65C5FKSA1 Image
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IDW10G65C5FKSA1

工場モデル IDW10G65C5FKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
パッケージ PG-TO247-3-41
株式 3858 pcs
データシート Part Number GuideMult Device Status CHG 24/Feb/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3858のInfineon Technologies IDW10G65C5FKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.7 V @ 10 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-41
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ CoolSiC™+
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-247-3
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 400 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 10A
Vrと、F @キャパシタンス 300pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 IDW10G65

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