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Infineon Technologies

IDW30G120C5BFKSA1

工場モデル IDW30G120C5BFKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
パッケージ PG-TO247-3
株式 6823 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Wafer/Material Chg 5/May/2017
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500
$7.867 $7.256 $6.196 $5.937
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6823のInfineon Technologies IDW30G120C5BFKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.65 V @ 15 A
電圧 - 逆(VR)(最大) 1200 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ CoolSiC™+
パッケージ/ケース TO-247-3
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 124 µA @ 1200 V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 44A (DC)
基本製品番号 IDW30G120

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データシート