IAUTN12S5N017ATMA1
| 工場モデル | IAUTN12S5N017ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET_(120V 300V) |
| パッケージ | PG-HSOF-8-1 |
| 株式 | 25672 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $3.11 | $2.81 | $2.326 | $2.026 | $1.764 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| Vgs（最大） | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-1 |
| シリーズ | OptiMOS™5 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 120 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
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