IAUS300N10S5N014ATMA1
| 工場モデル | IAUS300N10S5N014ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8 |
| パッケージ | PG-HSOG-8-1 |
| 株式 | 17658 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $3.126 | $2.823 | $2.337 | $2.035 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 275µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOG-8-1 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 16011 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 216 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 360A (Tj) |
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