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Infineon Technologies

IAUT200N08S5N023ATMA1

工場モデル IAUT200N08S5N023ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
パッケージ PG-HSOF-8-1
株式 42232 pcs
データシート Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OPTIMOS Assembly/DS Chgs 2/Jul/2020
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$1.84 $1.653 $1.354 $1.153 $0.972
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。42232のInfineon Technologies IAUT200N08S5N023ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.8V @ 130µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
シリーズ OptiMOS™-5
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.3mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大) 200W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7670 pF @ 40 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 110 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 200A (Tc)
基本製品番号 IAUT200

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データシート