BSZ165N04NSGATMA1
| 工場モデル | BSZ165N04NSGATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON |
| パッケージ | PG-TSDSON-8 |
| 株式 | 5429 pcs |
| データシート | BSZ165N04NSGPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019Multiple Changes 09/Jul/2014OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 10µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16.5mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 840 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A (Ta), 31A (Tc) |
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