BSZ0910NDXTMA1
| 工場モデル | BSZ0910NDXTMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| パッケージ | PG-WISON-8 |
| 株式 | 5894 pcs |
| データシート | Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018BSZ09 EOL 6/Jan/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-WISON-8 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.5mOhm @ 9A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A (Ta), 25A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | BSZ0910 |
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