BSZ120P03NS3EGATMA1
| 工場モデル | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON |
| パッケージ | PG-TSDSON-8 |
| 株式 | 6757 pcs |
| データシート | BSZ120P03NS3E GPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019Multiple Changes 09/Jul/2014 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.1V @ 73µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3360 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 40A (Tc) |
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