BSZ0902NSATMA1
| 工場モデル | BSZ0902NSATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-FL |
| 株式 | 255433 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015Mult Dev Site Add 30/Oct/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.434 | $0.389 | $0.304 | $0.251 | $0.198 | $0.185 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.6mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 48W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Ta), 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | BSZ0902 |
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