Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSS192PH6327XTSA1
BSS192PH6327XTSA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

BSS192PH6327XTSA1

工場モデル BSS192PH6327XTSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
パッケージ PG-SOT89
株式 6270 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Update 28/May/2020Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6270のInfineon Technologies BSS192PH6327XTSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 130µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT89
シリーズ SIPMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 12Ohm @ 190mA, 10V
電力消費(最大) 1W (Ta)
パッケージ/ケース TO-243AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 104 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6.1 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.8V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 250 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 190mA (Ta)
基本製品番号 BSS192

おすすめ商品

BSS192PH6327XTSA1 データテーブルPDF

データシート