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BSS169L6327HTSA1 Image
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BSS169L6327HTSA1

工場モデル BSS169L6327HTSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
パッケージ PG-SOT23
株式 5532 pcs
データシート BSS169Part Number GuideMultiple Devices 25/Nov/2011
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5532のInfineon Technologies BSS169L6327HTSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.8V @ 50µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT23
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6Ohm @ 170mA, 10V
電力消費（最大） 360mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 68 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 2.8 nC @ 7 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Depletion Mode
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 0V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 170mA (Ta)

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