BSS225H6327XTSA1
工場モデル | BSS225H6327XTSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 |
パッケージ | PG-SOT89 |
株式 | 5906 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Pkg Update 28/May/2020Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 94µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT89 |
シリーズ | SIPMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 45Ohm @ 90mA, 10V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-243AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 131 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 90mA (Ta) |
基本製品番号 | BSS225 |
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