BSO615NGXUMA1
| 工場モデル | BSO615NGXUMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 8-SOIC |
| パッケージ | PG-DSO-8 |
| 株式 | 179955 pcs |
| データシート | Mult Dev Cover Tape Chg 13/Jul/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.448 | $0.402 | $0.314 | $0.259 | $0.205 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 20µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | BSO615 |
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